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              薄膜襯底

              摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片是最早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩定性好、成本低的特點。由于氧化鋯材料具有高硬度,高強度,高韌性,極高的耐磨性及耐化學腐蝕性等等優良的物化性能,氧化鋯已經在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學、航空航天、生物、化學等等各種領域獲得廣泛的應用。
              主要性能參數
              晶體結構
              立方
              晶格常數
              a=5.147 ?
              熔點(℃)
              2700
              密度(g/cm3
              6.0
              硬度
              8-8.5(mohs)
              純度
              99.99%
              熱膨脹系數(/℃)
              10.3×10-6
              介電常數
              ε=27
              生長方法
              弧熔法
              尺寸
              10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
              dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
              厚度
              0.5mm,1.0mm
              拋光
              單面或雙面
              晶向
              <001>±0.5o
              晶面定向精度:
              ±0.5°
              邊緣定向精度:
              2°(特殊要求可達1°以內)
              斜切晶片
              可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
              Ra:
              ≤5?(5μm×5μm)
              包裝
              100級潔凈袋,1000級超凈室
              0551-63468281
              日本japanese丰满|五月天AV在线资源站·|伊人无码AV一区二区三区

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