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              薄膜襯底

              氧化鎂(MgO)單晶基片廣泛應用在多個薄膜技術領域中,是極好的單晶基片,廣泛應用于制備鐵電薄膜、磁學薄膜、光電薄膜和高溫超導薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2"及更大),所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動通訊設備所需的高溫超導微波濾波器等器件,具有很大的現實及潛在應用市場,本公司可采用化學機械拋光制備出高品質原子級表面的基片。
              主要性能參數
              生長方法 弧熔法
              晶體結構 立方
              晶格常數 a=4.130 ?
              熔點(℃) 2800
              純度 99.95%
              密度(g/cm3 3.58
              硬度 5.5(mohs)
              熱膨脹系數(/℃) 11.2x10-6
              晶體解理面 <100>
              光學透過 >90%(200~400nm),>98%(500~1000nm)
              介電常數 ε= 9.65
              熱導率(卡/度 厘米 秒) 0.14  300°K
              尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
              dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
              厚度 0.5mm,1.0mm
              拋光 單拋、雙拋或細磨
              晶向 <001>±0.5o
              晶面定向精度: ±0.5°
              邊緣定向精度: 2°(特殊要求可達1°以內)
              斜切晶片 可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
              Ra: ≤5?(5μm×5μm)
              主要特點 由于MgO單晶在微波波段的介電常數和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2英吋及更大),所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。
              主要用途 用于制作磁學薄膜、半導體薄膜、光學薄膜和高溫超導薄膜等,也可用于制作移動通訊設備所需的高溫超導微波濾波器等器件。
              包裝 100級潔凈袋,1000級超凈室
              0551-63468281
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