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              作為半導體產業中的襯底材料,碳化硅單晶具有優異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能,因此外延應用對碳化硅晶片表面質量的要求極為嚴苛。碳化硅硬度高、脆性大、化學性質穩定,傳統加工方法不完全適用。受加工技術的制約,目前高表面質量碳化硅晶片的加工效率極低。
              碳化硅單晶的加工過程主要分為切片、薄化和拋光。全球碳化硅制造加工技術和產業尚未成熟,在一定程度上限制了碳化硅器件市場的發展,要充分實現碳化硅襯底的優異性能,開發高表面質量碳化硅晶片加工技術是關鍵所在。本文主要針對碳化硅晶片的加工工藝做相關論述。

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